Material termoconductor din carbură de siliciu

Conductivitatea termică a materialelor SiC, ca majoritatea solidelor dielectrice, este influențată în principal de transmiterea undelor termoelastice (numite fononi). Conductivitatea termică a materialelor SiC depinde în principal de: 1) cantitatea de ajutoare de sinterizare, raportul stoechiometric, proprietățile chimice și grosimea granulelor și cristalinitatea aferente; 2) Dimensiunea boabelor; 3) Tipurile și concentrațiile atomilor de impurități din cristalele de SiC; 4) Atmosfera de sinterizare; 5) Tratament termic după sinterizare, etc. SiC are proprietăți excelente, cum ar fi conductivitate termică ridicată, lățime mare de bandă interzisă, rată mare de migrare a saturației electronilor și câmp electric de defalcare critic ridicat. Performanța sa excelentă completă compensează deficiențele materialelor și dispozitivelor semiconductoare tradiționale în aplicații practice și are perspective largi de aplicare în domenii precum vehiculele electrice și cipurile de comunicații mobile. Datorită fiabilității sale mai mari, temperaturii de funcționare mai ridicate, dimensiunilor mai mici și rezistenței la tensiune mai mare, SiC poate fi aplicat dispozitivelor de alimentare, cum ar fi plăcile de acționare principale, încărcătoarele de bord și modulele de alimentare, îmbunătățind considerabil eficiența și sporind rezistența vehiculelor electrice. . În același timp, SiC are o conductivitate termică bună, iar utilizarea dispozitivelor de putere cu semiconductor SiC poate reduce dimensiunea bateriei și poate converti mai eficient energia, reducând astfel costul dispozitivelor de asamblare. Ceramica SiC, ca material ceramic structural de înaltă performanță, are proprietăți termice excelente și poate fi utilizată pe scară largă în domeniile industriale de rezistență la temperaturi înalte, încălzire și schimb de căldură.